百年英雄丨黄昆 来源:常见问题    发布时间:2024-01-28 01:58:04   阅读:1

  黄昆院士1919年9月出生于北京,1941年结业于燕京大学物理系。1945年赴英国留学,1948年获英国布里斯托(Bristol)大学哲学博士学位,1949—1951年在英国利物浦大学理论物理系任博士后研讨员,1951—1977年在北京大学物理系任教授,并于1959年参加我国,1977—1983年任我国科学院半导体研讨所所长,1983年今后,任声誉所长。1987—1991年曾任我国物理学会理事长。他先后被选为我国科学院学部委员(院士)(1955年),瑞典皇家科学院外籍院士(1980年),第三国际科学院院士(1985年)。

  黄昆院士是国际闻名的物理学家,他对固体物理学作出了许多开辟性的严重奉献,是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射,今后被称为“黄散射”。这个理论在20世纪60年代获试验证明,“黄散射”已开展成为一种能直接研讨固体中微观缺点的有用手法。他的多声子跃迁理论,以“黄—里斯因子”而著称于世。他提出关于描绘晶体中光学位移、微观电场与电极化三者联系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振荡的耦合,即后来称为极化激元的重要概念。他与M.Born合著的《晶格动力学理论》一书,是一部有国际影响的经典性科学专著。他的理论对信息工业(特别是光电子工业)具有极端严重的实际指导意义,产生着越来越深远的影响。

  半个世纪以来,他不仅对固体物理作出了重要奉献。一起,还对高等学校中一般物理、固体物理和半导体物理的教育作出了十分重要的奉献。

  黄昆院士酷爱祖国,酷爱科学技能工作,勤劳开辟,奋斗不息,为创建和开展我国半导体科学技能工作作出重要奉献。

  黄昆院士是我国半导体科技界的一代宗师,培养了一批又一批国家科技栋梁之才。

  2002年为赞誉黄昆院士在固体物理学范畴的杰出成就和奉献,黄昆院士荣获2001年度国家最高科技奖。荣获1995年度何梁何利基金科学与技能成就奖。2005年7月6日,黄昆院士病逝。

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